赛晶电力电子首发自研IGBT 国产替代提速分羹百亿元市场

    国内企业在IGBT领域的布局进入加速模式。

    9月28日，港股上市公司赛晶电力电子向社会发布首款由公司自主研发的国产IGBT——1200V的芯片及模块产品。此外，该公司将陆续推出600V至1700V的中低压领域产品，目标市场为电动汽车、光伏风电、工业变频等市场。

    赛晶电力电子董事会主席项颉介绍，1200V是应用场景比较宽广的电压等级，可以用于大部分光伏发电、部分风力发电、部分专用新能源车，广泛应用于各种工业变频领域，此次首发产品主要应用场景为新能源发电领域。

    “公司此次发布的1200V产品所使用的i20技术，介于英飞凌第四代和第五代技术。英飞凌第四代技术IGBT是全世界出货量最大的。”董事长助理胡俊向记者介绍。

    IGBT（绝缘栅双极型晶体管），是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。IGBT非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

    东兴证券发布的研报介绍，IGBT是功率半导体器件第三次技术革命的代表性产品，从上世纪80年代至今经历了六代技术演变，现具有高频率、高电压、大电流，易于开关等优良性能，被业界誉为功率变流装置的“CPU”。

    不过，目前我国IGBT国产化程度较低，对外依存度较高，国产替代迫在眉睫。

    兴业证券发布的研报介绍，2019年全球IGBT市场规模49.1亿美元，中国市场规模约162亿人民币，但是几乎被外资垄断：中国中高端MOSFET及IGBT主流器件市场上，90%主要依赖进口，基本被国外欧美、日本企业垄断。中国车规级IGBT市场中，英飞凌在中国市场占据绝对主导地位，市场占有率达到58%。

    2020年，国内厂商加速IGBT项目的布局和落地，进一步推进IGBT的国产化。

    4年前，赛晶电力电子开始布局IGBT，今年6月生产基地落地浙江嘉兴。该项目规划建设2条IGBT芯片背面工艺生产线、5条IGBT模块封装测试生产线，建成后年产能达200万件IGBT模块产品。

    项颉向记者介绍，该项目预计今年年底前厂房建设完成，2021年一季度第一条生产线试生产、第二条生产线投资启动，预计未来3至5年完成全部生产线建设。“一旦公司产品批量供货，项目产能释放，就会迅速帮助市场与企业解决缺货问题，缓解供需失衡的现状。”

    记者注意到，赛晶电力电子的芯片技术研发规划还包括1700V芯片产品，使用的技术相当于英飞凌第五代IGBT的i20+技术，主要面向风电领域。“这个是国内供应最为紧缺的。”胡俊向记者介绍。

    未来，赛晶电力电子还将发布第三款750V芯片产品，将使用相当于英飞凌第七代IGBT的i21技术，主要面向乘用车等领域。

    “国内厂商发展具有自身优势，从需求端讲，中国功率半导体需求量世界第一；从供给端讲，自主可控是发展趋势。同时国内的半导体功率企业相较于国外厂商往往具备成本与定制化的相对优势，国内功率半导体行业具备较高的实现进口替代的可能性。”东兴证券认为。

    值得一提的是，IGBT并非一个暴利行业，它属于投资风险大、回报率相对较小的产业。在很长的一段时间内，其并不是资本青睐的领域。在新能源汽车对IGBT产品需求不断提升的背景下，资本加速涌入这一领域。

    在项颉看来，由于公司拥有近20年的功率半导体行业积淀，拥有成熟的市场渠道和深厚的客户积累，为赛晶迅速取得打开市场奠定了良好基础。“我们研发团队大多来自ABB半导体或顶尖企业的人才，对IGBT有很深理解与丰富经验。并且，我们行业用户集中且稳定。”

    项颉透露，公司目前在港股上市，但有计划单独拆分IGBT业务，并争取在2023年回到A股上市。